Sasib 3000 Nano volledig Lawine Geschatte Kretek-Machinestransistor

Sasib 3000 Nano volledig Lawine Geschatte Kretek-Machinestransistor

Een transistor is een halfgeleiderapparaat wordt gebruikt om elektronische signalen en elektromacht te vergroten of te schakelen die. De transistors zijn één van de basisbouwstenen van moderne elektronika. Het is gewoonlijk samengesteld uit halfgeleidermateriaal met minstens drie terminals voor verbinding aan een externe kring.

1. Massaproduktie

In de jaren '50, onderzocht de Egyptische ingenieur Mohamed Atalla de oppervlakteeigenschappen van siliciumhalfgeleiders in Bell Labs, waar hij een nieuwe methode van de vervaardiging van het halfgeleiderapparaat voorstelde, met een laag bedekkend een siliciumwafeltje met een het isoleren laag van siliciumoxyde zodat de elektriciteit betrouwbaar aan hieronder het het leiden silicium kon doordringen, verklaart het overwinnen van de oppervlakte die verhinderde elektriciteit van het bereiken van de semiconducting laag. Dit is genoemd geworden oppervlaktepassivering, een methode die aan de halfgeleiderindustrie kritiek werd aangezien het later de massapproductie van siliciumgeïntegreerde schakelingen mogelijk maakte.

2. MOSFET

De metaal-oxyde-halfgeleider field-effect transistor (MOSFET) werd, ook als de MOS transistor wordt bekend, uitgevonden door Mohamed Atalla en Dawon Kahng in 1959 die. MOSFET was de eerste echt compacte transistor die zou kunnen voor een brede waaier van gebruik worden verkleind en worden in massa geproduceerd. Met zijn hoge scalability, en veel lagere machtsconsumptie en hogere dichtheid dan bipolaire verbindingstransistors, MOSFET het mogelijk maakte om high-density geïntegreerde schakelingen te bouwen, toestaand de integratie van meer dan 10.000 transistors in één enkel IC.

3. CMOS

CMOS (bijkomende MOS) werd uitgevonden door Chih-Tang Sah en Frank Wanlass bij de Halfgeleider van Fairchild in 1963. Eerste verslag van drijven-poortmosfet werd uitgebracht door Dawon Kahng en Simon Sze in 1967. Dubbel-poortmosfet werd eerst aangetoond in 1984 door Elektrotechnische Laboratoriumonderzoekers Toshihiro Sekigawa en Yutaka Hayashi